12、ADS使用记录之功分器设计
基于ADS2022
参考的书籍是卢益锋老师的ADS射频电路设计与仿真学习笔记
前置教程: 01、ADS使用记录之新建工程 02、ADS使用记录之导入各类仿真模型导入 03、ADS使用记录之DC仿真控制器的使用 04、ADS使用记录之S仿真控制器的使用&椭圆低通滤波器设计 05、ADS使用记录之集总参数匹配 06、ADS使用记录之分布式参数匹配 07、ADS使用记录之匹配Q值-宽带与窄带 08、ADS使用记录之低通滤波器设计与优化 09、ADS使用记录之滤波器自动设计 10、ADS使用记录之设计高低阻抗滤波器(含版图仿真) 11、ADS使用记录之LNA设计
目录
12、ADS使用记录之功分器设计0、设计资源(ADS工程)1、设计指标2、原理图设计3、版图仿真
0、设计资源(ADS工程)
ADS威尔金森功分器设计
1、设计指标
中心频率:2.4GHZ
2、原理图设计
新建原理图,命名为SCH1: 在工具栏中搜索并找到Passive Circuit DG-Microstrip Circuits 插入板材控件MSUB,设置板材为FR4的参数,板材厚度20mil: 在下方找到威尔金森功分器并插入: ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/b689d590e6274ec5a2b398ac6fd7ad55.png)
双击控件设置参数,设置的参数如下: F:中心频率 DeltaF:带宽 Z0:传输线阻抗 Response Type:响应类型(可选切比雪夫、一般等等) N:功分器的级数,如果需要较大带宽可能需要多级功分器来实现,为0表示自动设置(根据要求) Rmax:输入端最大的回波损耗系数,越小性能越好 Wgap:威尔金森功分器隔离电阻处的宽度,如果使用0805的电阻可设置为80mil,0603可设置为60mil Delta为微调系数,在可通过调整此系数微调功分器性能
全部参数设置完成后再design guide中找到无源电路选项(passive circuit) 选择第一个无源电路控制窗口: 在design assistant中找到design按钮并点击: 设计完成后深入电路图查看,得到功分器的电路图: 回到主原理图,插入50欧姆端口: 插入S仿真控件,合理设置参数: 点击仿真按钮,查看参数,首先查看S11参数,发现中心频率偏大: 对威尔金森功分器的delta进行修改,不断查看参数,发现在Delta=30mil时,S11的中心频率为2.4Ghz,最为适合此次设计: ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/42c9b3b2382046468fcf67b771099413.png?x-oss-process=image/watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBA5oCh5q2l5pmT5b-DcnVp,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16)
查看S21、S31等参数,S21、S31几乎重合,表示系统的等分性能很好,输出约为-3db,符合等分理论: 查看S32参数,虽然中心频率不在2.4Ghz,但是在2.4G时隔离度较好: 此时也可以在无源电路设计的控制窗口找到无源电路仿真选项: 合理设置仿真参数后点击仿真,弹出窗口,窗口显示了设计的器件的各种性能,与之前原理图仿真的几乎一致: 上面的原理图只有功分器,我们还要手动添加前后一段的连接线,新建原理图,将之前的功分器、S参数仿真器、板材参数复制进去,并在前后添加一些: 再次进行仿真,依旧具有较好的性能: ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/0539a5bfc4c44140a19068f04f2d69f9.png?x-oss-process=image/watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBA5oCh5q2l5pmT5b-DcnVp,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16)
3、版图仿真
选中layout点击产生电路图: 在版图中找到EM设置并新建EM设置: 找到板材选项,新建板材FR4: ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/5cb2011b423f48ebb747a818a087c7cb.png?x-oss-process=image/watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBA5oCh5q2l5pmT5b-DcnVp,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16)
设置相关参数(板材高度等): 下面设置仿真频率参数: 设置输出(所有产生的频率都输出): 设置输出EMmodel: ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/872197df0729412e999290fd76317cf6.png?x-oss-process=image/watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBA5oCh5q2l5pmT5b-DcnVp,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16)
之前产生版图得到的电路板如下所示: 删除电阻并插入端口: 回到EM设置点击仿真: 仿真完成后在EM设置点击Symbol按钮:
点击右下角的蓝绿色图标; 按照如下方式设置并点击确定: 得到版图: 新建原理图,命名为co_simulation,从库中插入刚才生成的symbol: 设置此图的仿真属性: ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/f141952e04ff47abab8ac5ae8ceb2b5a.png?x-oss-process=image/watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBA5oCh5q2l5pmT5b-DcnVp,size_18,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16)
添加电阻与端口,设置S参数扫描与版图仿真时一致: 进行仿真,观察结果: 下面把电阻换成实际的0805电阻: 再次进行仿真,发现此时性能更差了: ![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/48344d99b5fe4d68840e3b87deb513d0.png?x-oss-process=image/watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBA5oCh5q2l5pmT5b-DcnVp,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16)
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